Pengeluaran Besar Cip Memori 512GB eUFS 3.0 Pertama Dimulakan Oleh Samsung

Android / Pengeluaran Besar Cip Memori 512GB eUFS 3.0 Pertama Dimulakan Oleh Samsung

Samsung telah mengumumkan bahawa mereka akan memulakan pengeluaran besar-besaran penyimpanan 512GB eUFS 3.0. Ini akan menjadi yang pertama bagi industri mudah alih kerana semua telefon pintar lain masih menggunakan cip memori eUFS 2.1 pada masa ini. Malangnya, cip ini akan digunakan dalam ‘telefon pintar generasi akan datang’ dan tidak akan hadir dalam peranti siri S10 yang baru. Namun, telah dikhabarkan bahawa Samsung mungkin akan memulakan cip memori di dalam peranti Samsung Galaxy Fold baru.



VP Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics, Cheol Choi menyatakan bahawa 'Permulaan pengeluaran besar-besaran barisan eUFS 3.0 kami memberi kami kelebihan besar dalam pasaran mudah alih generasi seterusnya yang mana kami membawa kelajuan membaca memori yang sebelum ini hanya tersedia pada komputer riba ultra-tipis'.

512GB eUFS 3.0 akan dilengkapi dengan lapan generasi 512GB V-NAND generasi kelima dan juga akan mempunyai alat kawalan prestasi tinggi. Kelajuan membaca sehingga 2,100 MB / s dijangka, yang akan lebih dari dua kali lebih cepat daripada cip eUFS 2.1 semasa. Cip baru ini semestinya secepat komputer riba ultra ramping baru-baru ini dari segi prestasi penyimpanan. Sebaliknya, kecepatan menulis seharusnya sekitar 410 MB / s, yang akan menempatkannya di kawasan kelajuan yang sama dengan SSD SATA. Di samping itu, Operasi Input / Output Per Detik (IOPS) juga mengalami peningkatan, dengan melakukan 63,000 IOPS baca rawak dan 68,000 IOPS tulisan rawak. Dengan kepantasan ini, anda dapat memindahkan filem Full HD dari telefon pintar ke komputer riba anda hanya dalam 3 saat pendek.



eUFS 3.0



Ini pasti memberi tekanan kepada pesaing untuk menambahkan cip memori eUFS 3.0 di telefon masa depan. Oleh itu, kita dapat menjangkakan lebih banyak syarikat akan menggunakan standard tersebut dalam masa terdekat.



Teg samsung